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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7521D1
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
2
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
?
––– R G = 6.0 ?
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
20
–––
–––
0.70
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.085
0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.3
0.84
2.2
5.7
24
15
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
0.135 V GS = 4.5V, I D = 1.7A ?
0.20 V GS = 2.7V, I D = 0.85A ?
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 10V, I D = 0.85A
1.0 V DS = 16V, V GS = 0V
μA
25 V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
100 V GS = 12V
nA
-100 V GS = -12V
8.0 I D = 1.7A
1.3 nC V DS = 16V
3.3 V GS = 4.5V, See Fig. 6 ?
––– V DD = 10V
––– I D = 1.7A
ns
t f
Fall Time
–––
16
––– R D = 5.7 ? ,
?
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
260
130
61
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 15V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current(Body Diode)
Pulsed Source Current (Body Diode)
–––
–––
––– 1.3
––– 14
A
V SD
t rr
Q rr
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
––– 1.2 V T J = 25°C, I S = 1.7A, V GS = 0V
39 59 ns T J = 25°C, I F = 1.7A
37 56 nC di/dt = 100A/μs ?
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units.
Conditions
I F(av)
Max. Average Forward Current
1.9
A
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, T A = 25°C
1.4
See Fig.14 T A = 70°C
I SM
Max. peak one cycle Non-repetitive
120
5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated
Surge current
11
A
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
with V RRM applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
V FM
Max. Forward voltage drop
0.50
0.62
0.39
0.57
V
I F = 1.0A, T J = 25°C
I F = 2.0A, T J = 25°C
I F = 1.0A, T J = 125°C
I F = 2.0A, T J = 125°C .
I RM
Max. Reverse Leakage current
0.02
8
mA
V R = 20V T J = 25°C
T J = 125°C
C t
dv/dt
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
92 pF
3600 V/ μs
V R = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Rated V R
( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's )
2
www.irf.com
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PDF描述 |
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