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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
2
Power Mosfet Characteristics
IRF7521D1
100
TO P
VGS
7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
100
TOP
VGS
7.5V
5.0V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
10
1
2.0V
BOT TOM 1.5V
10
1
2.0V
BOTTOM 1.5V
1 .5V
0.1
1 .5V
0.1
20 μ s P U LS E W ID TH
2 0μ s P U L S E W ID TH
0.01
0.1
1
T J = 2 5°C
A
10
0.01
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
2.0
I D = 1.7A
1.5
10
T J = 1 5 0 °C
1.0
1
T J = 2 5°C
V DS = 10V
0.5
0.1
1.5
2.0
2.5
2 0 μ s P UL S E W ID TH
3.0 3.5 4.0
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 4.5 V
100 120 140 160
A
V G S , G ate-to -So urce Voltag e (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7521D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7523D1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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