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参数资料
| 型号： | IRF7521D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 1.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7521D1
Power Mosfet Characteristics
500
400
V GS
C is s
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs +C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C d s + C gd
10
8
I D = 1 .7A
V D S = 16 V
C iss
300
200
100
C oss
C rss
6
4
2
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
2
4
6
S E E FIG U R E 9
8
10
A
100
10
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
10
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A L IM ITE D
B Y R D S (o n)
100μs
T J = 1 50 °C
1m s
1
T J = 25 °C
1
10m s
V G S = 0V
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6 1.8
A
0.1
T A = 25 °C
T J = 15 0°C
S ing le P u lse
0.1
1
10
100
A
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
4
Forward Voltage
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7523D1 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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