参数资料
型号: IRF7521D1TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
标准包装: 4,000
系列: FETKY™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 260pF @ 15V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: Micro8?
包装: 带卷 (TR)
IRF7521D1
Micro8 TM Package Details
LE AD A SSIGN M EN TS
INC H ES
M ILLIME TE RS
D
-B-
3
D D D D
D1 D1 D2 D2
D IM
A
M IN
.0 36
M AX
.044
MIN
0 .91
M AX
1.11
A1
.0 04
.008
0 .10
0.20
8 7 6 5
8 7 6 5
B
.0 10
.014
0 .25
0.36
3
E
8 7 6 5
H
S IN G LE
D UAL
C
D
.005
.116
.007
.120
0.13
2.95
0.18
3.05
-A-
0.2 5 (.010)
M
A
M
1 2 3 4
1 2 3 4
e
.0256 B ASIC
0.65 BAS IC
1 2 3 4
e1
.0128 B ASIC
0.33 BAS IC
e
6X
S S S G
S 1 G 1 S2 G 2
E
H
L
θ
.1 16
.188
.016
.120
.198
.026
2.95
4.78
0.4 1
3.0 5
5.03
0.66
e1
θ
RE C OM M E ND ED F O O TP RIN T
-C-
B
8X
A1
A
0.10 (.004)
L
C
1.04
( .0 41 )
8X
0.38
( .015 )
8X
8X
8X
0.0 8 (.0 03)
M
C A S
B S
3.2 0
4.2 4
5.2 8
N O TE S :
1 DIME N S ION IN G A N D T O L E RA N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5M -1 9 8 2 .
( .126 )
( .167 ) ( .2 08 )
2 CO N T R OL L IN G DIME N S ION : INC H .
3 DIME N S ION S D O N O T INC L U D E M O L D F L A S H .
Part Marking
www.irf.com
0.65
( .02 56 )
6X
7
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IRF7521D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 2.4A 35mOhm 5.3nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7523D1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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