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参数资料
| 型号： | IRF7603TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7603DKR |
IRF7603
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTT OM 3.0V
100
10
VGS
TOP 15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTT OM 3.0V
3.0 V
1
3 .0V
20 μs P U LSE W IDTH
1
20 μs P U LSE W IDTH
0.1
0.1
1
T J = 25 °C
10
A
0.1
0.1
1
T J = 15 0°C
10
A
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 2 5 °C
T J = 1 5 0 °C
2.0
1.5
I D = 3.7A
1.0
1
0.5
V D S = 1 0 V
0.1
3.0
3.5
4.0
2 0 μ s PU L SE W ID TH
4.5 5.0 5.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = 10 V
A
100 120 140 160
V G S , Ga te-to-S o urce V oltage (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T emperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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PDF描述 |
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