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参数资料
| 型号： | IRF7603TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7603DKR |
IRF7603
1000
800
V GS
C is s
C rs s
C os s
=
=
=
=
0V , f = 1MH z
C gs + C g d , C ds SH OR TED
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 3.7 A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
200
C o ss
C rss
12
8
4
FO R TEST C IRC U IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
12
16
SEE FIG UR E 9
20 24
28
A
100
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , T otal G ate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O PER ATIO N IN T HIS AR EA LIMITE D
BY R DS (on)
10
T J = 1 50 °C
10
100μ s
1m s
T J = 25 °C
1
1
10 m s
V G S = 0 V
T J
0.1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
T A = 25 °C
= 15 0°C
S in gle Pu lse
0.1
0.1
1
10
A
100
V S D , Source-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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