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参数资料
| 型号： | IRF7603TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7603DKR |
IRF7603
Package Outline
Micro8 Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
L E A D A S S IG N M E N T S
IN C H E S
M IL LI M E T E R S
D
- B -
3
D D D D
D1 D1 D2 D2
D IM
A
M IN
. 0 36
MAX
.0 4 4
M IN
0 .9 1
MAX
1 . 11
A1
. 0 04
.0 0 8
0 .1 0
0 . 20
8 7 6 5
8 7
6 5
B
. 0 10
.0 1 4
0 .2 5
0 . 36
3
E
8 7 6 5
H
S IN G L E
DUAL
C
D
.0 0 5
.1 1 6
.0 0 7
.1 2 0
0 .1 3
2 .9 5
0 .1 8
3 .0 5
- A -
1 2 3 4
0 .2 5 (.0 1 0 )
M
A
M
1 2 3
4
1 2 3 4
e
e1
. 0 25 6 B A S IC
. 0 12 8 B A S IC
0 .6 5 B A S IC
0 .3 3 B A S IC
e
6X
S S S G
S1 G 1 S2 G2
E
H
L
θ
. 1 16
.1 8 8
. 0 16
0°
.1 2 0
.1 9 8
.0 2 6
6°
2. 9 5
4 .7 8
0 .4 1
0°
3 .0 5
5. 03
0 .6 6
6°
e 1
θ
R E C O M M E N D E D F O O T P R IN T
-C -
B
8X
A 1
A
0 . 10 (. 00 4 )
L
C
1 . 04
( .0 4 1 )
8X
0 .3 8
( .0 1 5 )
8X
8X
8X
0. 08 (. 00 3 )
M
C
A S
B
S
3 .2 0
4. 2 4
5 .2 8
N OT ES:
1 D IM E N SIO NIN G A ND TO LER AN C IN G P ER AN SI Y14.5M -1982.
( .1 2 6 )
( .1 6 7 ) ( .2 08 )
2 C ON T RO LLIN G D IM EN SION : IN C H.
3 D IM E N SIO NS DO NO T IN CL UD E M O LD F LAS H.
Part Marking Information
Micro8
0 . 65
( .0 2 56 )
6X
E X AM P L E : T H IS IS A N IR F 7 5 0 1
D A T E C O D E (Y W W )
A
Y = L A S T D IG IT O F YE A R
W W = W EE K
451
7 5 01
PA RT NUM BER
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