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参数资料
| 型号： | IRF7604TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 590pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7604DKR |
IRF7604
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.022 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
?
31 ––– R G = 6.0 ?
R DS(ON)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-0.70
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 0.090 V GS = -4.5V, I D = -2.4A ?
––– 0.13 V GS = -2.7V, I D = -1.2A ?
––– ––– V V DS = V GS , I D = -250μA
––– ––– S V DS = -10V, I D = -1.2A
––– -1.0 V DS = -16V, V GS = 0V
μA
––– -25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 125°C
––– -100 V GS = -12V
nA
––– 100 V GS = 12V
13 20 I D = -2.4A
2.6 3.9 nC V DS = -16V
5.6 9.0 V GS = -4.5V, See Fig. 6 and 9 ?
17 ––– V DD = -10V
53 ––– I D = -2.4A
ns
38 ––– R D = 4.0 ?, See Fig. 10 ?
590 ––– V GS = 0V
330 ––– pF V DS = -15V
170 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
38
-1.8
-19
-1.2
62
57
A
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = -2.4A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = -2.4A
di/dt = 100A/μs ?
G
D
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? I SD ≤ -2.4A, di/dt ≤ -96A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec.
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参数描述 |
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