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参数资料
| 型号： | IRF7604TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 590pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7604DKR |
IRF7604
100
10
1
VGS
TOP - 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
100
10
1
VGS
TOP - 7.5V
- 5.0V
- 4.0V
- 3.5V
- 3.0V
- 2.5V
- 2.0V
BOTTOM - 1.5V
-1.5V
0.1
-1 .5V
0.1
20μ s P U LS E W ID TH
20μ s P U LS E W ID TH
0.01
0.1
1
T J = 25°C
10
A
0.01
0.1
1
T J = 150°C
10
A
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
1
0.1
T J = 1 5 0 °C
T J = 2 5 °C
V D S = -1 0 V
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -2.4A
0.01
1.5
2.5
2 0 μ s P U L S E W ID T H
3.5 4.5
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V G S = -4.5V
100 120 140 160
A
-V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7607 | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF7604TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -3.6A 90mOhm 13nC Micro 8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7604TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.6A MICRO8 |
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| IRF7606HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -3.6A, 90 MOHM, 20 NC QG, MICRO 8 - Rail/Tube |
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