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参数资料
| 型号： | IRF7604TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 590pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7604DKR |
IRF7604
Q G
V DS
- 4.5 V
Q GS
Q GD
R G
V GS
D.U.T.
V DD
V G
-4.5 V
Charge
Fig 9a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V GS
-3mA
D.U.T.
V DS
90%
V DS
I G
I D
Current Sampling Resistors
100
10
Fig 9b. Gate Charge Test Circuit
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
Fig 10b. Switching Time Waveforms
P DM
1
0.01
t 1
t 2
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7607 | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 |
| IRF7663TR | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 |
| IRF7700GTRPBF | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| IRF7700TRPBF | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| IRF7701GTRPBF | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7604TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
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| IRF7604TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.6A MICRO8 |
| IRF7606 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P MICRO-8 |
| IRF7606HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -3.6A, 90 MOHM, 20 NC QG, MICRO 8 - Rail/Tube |
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