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参数资料
型号： IRF7807VD2PBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 1/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
标准包装： 95
系列： FETKY™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 二极管（隔离式）
漏极至源极电压(Vdss)： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 8.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 25 毫欧 @ 7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 14nC @ 4.5V
功率 - 最大： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装： 8-SO
包装： 管件
PD-95291
IRF7807VD2PbF
? Co-Pack N-channel HEXFET ? Power MOSFET
and Schottky Diode
FETKY ? MOSFET / SCHOTTKY DIODE
? Ideal for Synchronous Rectifiers in DC-DC
Converters Up to 5A Output
? Low Conduction Losses
? Low Switching Losses
? Low Vf Schottky Rectifier
A/S
A/S
A/S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K/D
K/D
K/D
K/D
? Lead-Free
D
Description
The FETKY ? family of Co-Pack HEXFET ? MOSFETs and
Schottky diodes offers the designer an innovative, board
space saving solution for switching regulator and power
SO-8
Top View
management applications. HEXFET power MOSFETs
utilize advanced processing techniques to achieve
DEVICE CHARACTERISTICS ?
extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier ’s low forward
drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient
device suitable for use in a wide variety of portable
electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized
leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-
8 package is designed for vapor phase, infrared or wave
soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings
R DS (on)
Q G
Q sw
Q oss
IRF7807VD2
17m ?
9.5nC
3.4nC
12nC
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Max.
30
±20
Units
V
Continuous Drain or Source
25°C
I D
8.3
Current (V GS ≥ 4.5V)
Pulsed Drain Current ?
70°C
I DM
6.6
66
A
Power Dissipation ?
Schottky and Body Diode
Average ForwardCurrent ?
25°C
70°C
25°C
70°C
P D
I F (AV)
2.5
1.6
3.7
2.3
W
A
Junction & Storage Temperature Range
T J , T STG
–55 to 150
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
Maximum Junction-to-Ambient ?
Maximum Junction-to-Lead
www.irf.com
R θ JA
R θ JL
50
20
°C/W
°C/W
1
10/08/04
相关PDF资料
PDF描述
445W25D24M00000 CRYSTAL 24.00000 MHZ 18PF SMD
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M2T12SA5G13 SW TOGGLE SPDT .500" GOLD PCB
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参数描述
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IRF7807VD2TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807VPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807VTR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807VTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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