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参数资料
| 型号： | IRF7807VD2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7807VD2PbF
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 7.0A
0.030
0.025
0.020
0.015
I D = 7.0A
V GS = 4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
0.010
2.0
4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 14.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
16.0
70
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
70
Fig 7. On-Resistance Vs. Gate Voltage
60
50
40
30
20
10
0
VGS
TOP 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 0.0V
0.0 V
380μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
60
50
40
30
20
10
0
VGS
TOP 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2.0V
BOTTOM 0.0V
O.OV
380μS PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Reverse Output Characteristics
www.irf.com
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 8. Typical Reverse Output Characteristics
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7807VTR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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