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参数资料
| 型号： | IRF7807VD2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
IRF7807VD2PbF
Electrical Characteristics
Parameter
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Drain-to-Source
Breakdown Voltage
Static Drain-Source
BV DSS
R DS(on)
30
–
17
–
25
V
m ?
V GS = 0V, I D = 250μA
V GS = 4.5V, I D = 7.0A ?
on Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-Source Leakage
Current
Current*
V GS(th)
I DSS
1.0
50
6.0
V
μA
mA
V DS = V GS ,I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0
V DS = 24V, V GS = 0,
Tj = 100°C
Gate-Source Leakage
Current*
I GSS
±100
nA
V GS = ±20V
Total Gate Charge*
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
Switch Chg(Q gs2 + Q gd )
Output Charge*
Gate Resistance
Turn-on Delay Time
Q G
Q GS1
Q GS2
Q GD
Q sw
Q oss
R G
t d (on)
9.5
2.3
1.0
2.4
3.4
12
2.0
6.3
14
5.2
16.8
nC
?
V GS =4.5V, I D =7.0A
V DS = 16V
V DS = 16V, V GS = 0
V DD = 16V, I D = 7.0A
Rise Time
t r
1.2
ns
V GS = 5V, R G = 2 ?
Turn-off Delay Time
Fall Time
t d
t f
(off)
11
2.2
Resistive Load
Schottky Diode & Body Diode Ratings and Characteristics
Parameter
Diode Forward Voltage
V SD
Min
Typ
Max
0.54
Units Conditions
V T j = 25°C, I s = 3.0A, V GS =0V ?
0.43
T j = 125°C, I s = 3.0A, V GS =0V ?
Reverse Recovery Time
trr
36
ns T j = 25°C, I s = 7.0A, V DS = 16V
Reverse Recovery Charge
Qrr
41
nC
di/dt = 100A/μs
Forward Turn-On Time
t on
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
Notes:
2
?
?
?
?
?
*
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width ≤ 400 μs; duty cycle ≤ 2%.
When mounted on 1 inch square copper board
50% Duty Cycle, Rectangular
Typical values of R DS (on) measured at V GS = 4.5V, Q G , Q SW and Q OSS
measured at V GS = 5.0V, I F = 7.0A.
Device are 100% tested to these parameters.
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7807VPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7807VTR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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