- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录445 > IRF7809ATR (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7809ATR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7809A/IRF7811A
Electrical Characteristics
IRF7809A
IRF7811A
Parameter
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max Units
Conditions
Drain-to-Source
Breakdown Voltage*
Static Drain-Source
on Resistance*
BV DSS
R DS(on)
30
–
7
–
8.5
28
–
10
–
12
V
m ?
V GS = 0V, I D = 250μA
V GS = 4.5V, I D = 15A ?
Gate Threshold Voltage*
Drain-Source Leakage
Current*
Current*
V GS(th)
I DSS
1.0
30
150
1.0
30
150
V
μA
V DS = V GS ,I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0
V DS = 24V, V GS = 0,
Tj = 100°C
Gate-Source Leakage
Current*
I GSS
±100
±100
nA
V GS = ±12V
Total Gate Chg Cont FET*
Total Gate Chg Sync FET*
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Q G
Q G
Q GS1
Q GS2
61
55
14
3.5
75
73
19
17
2.7
1.3
23
20.5
nC
V GS =5V, I D =15A, V DS =16V
V GS = 5V, V DS < 100mV
V DS = 16V, I D = 15A
Gate to Drain Charge
Q GD
13.5
4.5
Switch Chg(Q gs2 + Q gd )*
Q sw
17
22.5
5.8
7.0
Output Charge*
Gate Resistance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Q oss
R G
t d (on)
t r
t d (off)
25
1.1
19
9
32
30
26
1.8
8
4
16
31
?
ns
V DS = 16V, V GS = 0
V DD = 16V, I D = 15A
V GS = 5V
Clamped Inductive Load
Fall Time
t f
12
8
Input Capacitance
C iss
–
7300
–
–
1800
–
Output Capacitance
C oss
–
900
–
–
900
–
pF
V DS = 16V, V GS = 0
Reverse Transfer Capacitance C rss
–
350
–
–
60
–
Source-Drain Rating & Characteristics
Parameter
Diode Forward
V SD
Min
Typ
Max
1.0
Min
Typ
Max Units
1.0
V
Conditions
I S = 15A ? , V GS = 0V
Voltage*
Reverse Recovery
Charge ?
Reverse Recovery
Q rr
Q rr(s)
94
87
82
74
nC
di/dt ~ 700A/μs
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
di/dt = 700A/μs
Charge (with Parallel
Schottky) ?
Notes:
(with 10BQ040)
V DS = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
2
?
?
?
?
*
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width ≤ 300 μs; duty cycle ≤ 2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
Typ = measured - Q oss
Devices are 100% tested to these parameters.
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7811WGTRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF7834PBF | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC |
| IRF820STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
| IRF820 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB |
| IRF840LPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7809AV | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7809AVHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7809AVPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7809AVTRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7809AVTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。