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参数资料
| 型号： | IRF7809ATR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 15A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7300pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7809A/IRF7811A
SO-8 Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
T E R M IN A L N U M B E R 1
1 2.3 ( .4 84 )
1 1.7 ( .4 61 )
8 .1 ( .31 8 )
7 .9 ( .31 2 )
F E E D D IR E C T IO N
N O TE S :
1 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
2 . A L L D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M IL L IM E T E R S (IN C H E S ).
3 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1 .
33 0.0 0
(12 .9 92 )
MAX.
14 .4 0 ( .5 6 6 )
12 .4 0 ( .4 8 8 )
NOTE S :
1 . C O N T R O L LIN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
2 . O U T L IN E C O N FO R M S T O E IA -48 1 & E IA -54 1.
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 252-7105
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T 3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 3-30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171-0021 Japan Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade,Great World City West Tower, 13-11,Singapore 237994 Tel:65 838 4630
IR TAIWAN : 16F, Suite B, 319, Sec.2, Tun Hwa South Road, Taipei 10673, Taiwan, R.O.C. Tel : 886-2-2739-4230
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 1/00
4
www.irf.com
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