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参数资料
| 型号： | IRF820S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为500V，导通电阻为3.0Ω，漏电流为2.5A）) |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET（不适用沟道增强型功率马鞍山场效应管（漏源电压为500V及导通电阻为3.0Ω，漏电流为包2.5a）） |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | IRF820S |
IRF820S
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
C
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-2
10
-1
10
0
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 50 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
10
0
10
1
0
200
400
600
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
10
15
20
0
5
10
V
DS
= 400 V
V
DS
= 250 V
V
DS
= 100 V
@ Notes : I
D
= 2.5 A
V
G
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
-2
10
-1
10
0
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为500V，导通电阻为0.85Ω，漏电流为8A）) |
| IRF9521 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9522 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9523 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF820SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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