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参数资料
| 型号： | IRF820S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为500V，导通电阻为3.0Ω，漏电流为2.5A）) |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET（不适用沟道增强型功率马鞍山场效应管（漏源电压为500V及导通电阻为3.0Ω，漏电流为包2.5a）） |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | IRF820S |
IRF820S
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为500V，导通电阻为0.85Ω，漏电流为8A）) |
| IRF9521 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9522 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9523 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF820SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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