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参数资料
| 型号： | IRF9410TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF9410PBFDKR |
IRF9410PbF
100
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
100
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
10
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
10
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
3.0V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 25°C
A
10
1
0.1
1
T J = 150°C
A
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
T J = 25°C
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 150°C
10
1
T J = 150°C
T J = 25°C
V GS = 0V
1
3.0
3.5
4.0
V DS = 10V
20μs PULSE WIDTH
4.5 5.0 5.5
A
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
A
1.2
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 4. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
3
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PDF描述 |
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