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参数资料
| 型号： | IRF9410TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF9410PBFDKR |
IRF9410PbF
1000
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 2.0A
V DS = 15V
C iss
600
400
C oss
12
8
200
C rss
4
0
1
10
100
A
0
0
6
12
18
24
30
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0.50
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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