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参数资料
| 型号： | IRF9410TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF9410PBFDKR |
IRF9410PbF
2.0
I D = 7.0A
0.05
1.5
0.04
V GS = 4.5V
1.0
0.03
0.5
V GS = 10V
T J , Junction Temperature ( C)
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS = 10V
°
0.02
0
5
10 15
I D , Drain Current (A)
20
25
A
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
0.14
200
TOP
I D
2.1A
0.12
160
BOTTOM
3.7A
4.6A
0.10
0.08
0.06
0.04
I D = 7.0A
120
80
40
0.02
0.00
A
0
A
3
6
9
12
15
25
50
75
100
125
150
V GS -Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
4
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 8. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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