参数资料
型号: IRF9540NSTRR
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 117 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 97nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRF9540NS/L
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
100
10
VGS
TOP - 15V
- 10V
- 8.0V
- 7.0V
- 6.0V
- 5.5V
- 5.0V
BOTTOM - 4.5V
-4.5V
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T c = 25°C
10
A
100
1
0.1
1
T C = 175°C
10
A
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25°C
2.5
2.0
I D = -19A
T J = 175°C
10
1.5
1.0
1
0.5
V DS = -25V
0.1
4
5
6
7
20μs PULSE WIDTH
8 9 10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = -10V
A
80 100 120 140 160 180
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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PDF描述
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IRF9540PBF 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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