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参数资料
| 型号： | IRF9540NSTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 117 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 97nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9540NS/L
3000
2500
2000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
20
16
12
I D = -11A
V DS = -80V
V DS = -50V
V DS = -20V
1500
C oss
8
1000
C rss
4
500
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIGURE 13
60 80
A
100
100
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 175°C
T J = 25°C
100μs
1
10
1ms
V GS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4 1.6
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
100
A
1000
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9540SPBF | MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK |
| IRF9610SPBF | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK |
| IRF9630STRLPBF | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK |
| IRF9Z14STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK |
| IRF9Z20 | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9540NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9540PBF | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9540PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF9540RF1S9540SM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:19A 100V 0.200 Ohm P-Channel Power MOSFETs(100.75 k) |
| IRF9540S | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 19 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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