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参数资料
| 型号： | IRF9630STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 3.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF9630STRLPBFDKR |
IRF9630S, SiHF9630S
Vishay Siliconix
R D
V DS
7.0
R g
V GS
D.U.T.
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
V DD
- 10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
1.0
t d(on)
t r
t d(off) t f
V GS
0.0
10 %
25
50
75
100
125
150
91085_09
T C , Case Temperature (°C)
90 %
V DS
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
D = 0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
t 1
0.02
0.01
Single Pulse
Notes:
t 2
10 -2
(Thermal Response)
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
10
91085_11
Document Number: 91085
S11-1051-Rev. C, 30-May-11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.vishay.com
5
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z14STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK |
| IRF9Z20 | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
| IRF9Z24NSTRR | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| IRF9Z24STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
| IRFB42N20D | MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9630STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9630STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9631 | 制造商:SAMSUNG 制造商全称:Samsung semiconductor 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF9632 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF9633 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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