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参数资料
| 型号： | IRF9Z14STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 500 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L
Vishay Siliconix
600
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
480
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10 1
360
240
C iss
C oss
10 0
175 ° C
25 ° C
120
C rss
0
10 -1
V GS = 0 V
10 0
10 1
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
91089_05
- V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91089_07
- V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
I D = - 6.7 A
V DS = - 48 V
V DS = - 30 V
10 2
5
Operation in this area limited
by R DS(on)
10 μs
2
12
8
10
5
100 μs
1 ms
4
2
T C = 25 ° C
0
0
3
6
9
For test circuit
see figure 13
12 15
1
1
2
5
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
2
5
10 ms
10 2
91089_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91089_08
- V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91089
S11-1052-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9Z20 | MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB |
| IRF9Z24NSTRR | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| IRF9Z24STRLPBF | MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK |
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| IRFBA1404P | MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9Z14STRR | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9Z14STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9Z15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IRF9Z20 | 功能描述:MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9Z20PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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