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参数资料
| 型号： | IRFB41N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB41N15D |
PD - 93804B
IRFB41N15D
IRFIB41N15D
IRFS41N15D
Applications
l High frequency DC-DC converters
IRFSL41N15D
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max
I D
Benefits
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
150V
0.045
41A
Switching Losses
l
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
TO-220AB TO-220 FullPak D 2 Pak TO-262
IRFB41N15D IRFIB41N15D IRFS41N15D IRFSL41N15D
Parameter
Max.
Units
I D @ T C = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
41
I D @ T C = 100°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V
29
A
I DM
Pulsed Drain Current
164
Power Dissipation, D Pak
P D @T A = 25°C
P D @T C = 25°C
P D @T C = 25°C
V GS
dv/dt
2
Power Dissipation, TO-220
Power Dissipation, Fullpak
Linear Derating Factor, TO-220
Linear Derating Factor, Fullpak
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
3.1
200
48
1.3
0.32
± 30
2.7
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
1.1(10)
N?m (lbf?in)
Parameter
Typ.
Max.
Units
Junction-to-Ambient, D Pak
R θ JC
R θ JC
R θ cs
R θ JA
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Case, Fullpak
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, TO-220
2
Junction-to-Ambient, Fullpak
–––
–––
0.50
–––
–––
–––
0.75
3.14
–––
62
40
65
°C/W
Notes ?
through ? are on page 12
www.irf.com
1
07/16/03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB41N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRFB41N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4212PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4212PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFB4215 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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