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参数资料
| 型号： | IRFB41N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB41N15D |
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
9.0V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
100
10V
9.0V
8.0V
7.5V
7.0V
6.5V
BOTTOM 6.0V
10
10
6.0V
1
0.1
6.0V
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 175 ° C
3.0
2.5
2.0
1.5
I D = 41A
T J = 25 C
10
°
1.0
0.5
1
6
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
7 8 9 10
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
11
V GS = 10V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT4127SC | SW CAP ROCKER SCULPTURED CLR RED |
| SM31TA103 | TRIMMER 10K OHM 0.125W SMD |
| IRFB33N15D | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB |
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| 2963983 | SAFETY RELAY DIN RAIL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFB41N15DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRFB41N15DPBF | 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4212PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4212PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFB4215 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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