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参数资料
| 型号： | IRFB41N15D |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2520pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFB41N15D |
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
150
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.17
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
I DSS
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
0.045
5.5
25
?
V
μA
V GS = 10V, I D = 25A
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 150V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 120V, V GS = 0V, T J = 150°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
100
-100
nA
V GS = 30V
V GS = -30V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
gfs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
18
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
72
21
35
16
63
25
14
2520
510
110
3090
230
250
–––
110
31
52
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
ns
pF
V DS = 50V, I D = 25A
I D = 25A
V DS = 120V
V GS = 10V
V DD = 75V
I D = 25A
R G = 2.5 ?
V GS = 10V
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 120V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V to 120V
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
470
25
20
mJ
A
mJ
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
41
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
164
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
170
1.3
1.3
260
1.9
V
ns
μC
T J = 25°C, I S = 25A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 25A
di/dt = 100A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRFB4212PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 18A 72.5mOhm 15nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFB4212PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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