型号: | IRFD9014PBF |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | MOSFETs |
英文描述: | MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP |
中文描述: | MOSFET Small Signal P-Chan 60V 1.1 Amp |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 1750K |
代理商: | IRFD9014PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRFD9110 | 0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
IRFD9110 | -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
IRFD9110 | 0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
IRFD9110 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A) |
IRFI530A | Advanced Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRFD9015 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
IRFD9020 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRFD9022 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP |
IRFD9024 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |