参数资料
型号: IRFD9014PBF
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: MOSFETs
英文描述: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
中文描述: MOSFET Small Signal P-Chan 60V 1.1 Amp
文件页数: 6/9页
文件大小: 1750K
代理商: IRFD9014PBF
www.vishay.com
6
Document Number: 91136
S10-2463-Rev. C, 08-Nov-10
IRFD9014, SiHFD9014
Vishay Siliconix
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
R
g
I
AS
0.01
W
t
p
D.U.T.
L
V
DS
+V
DD
- 10 V
Vary t
to obtain
required I
AS
I
AS
V
DS
V
DD
V
DS
t
p
Q
GS
Q
GD
Q
G
V
G
Charge
- 10 V
D.U.T.
- 3 mA
V
GS
V
DS
I
G
I
D
0.3 μF
0.2 μF
50 k
Ω
12 V
Current regulator
Same type as D.U.T.
Current sampling resistors
+
-
相关PDF资料
PDF描述
IRFD9110 0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFD9110 -0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRFD9110 0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFD9110 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A)
IRFI530A Advanced Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFD9015 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
IRFD9020 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFD9020PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFD9022 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9024 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube