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参数资料
| 型号： | IRFG5210 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 200V V(BR)DSS | 680MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|阵|互补| 200伏五（巴西）直| 680MA（丁）|双酯 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | IRFG5210 |
www.irf.com
11
IRFG5210
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
V
DS
V
DD
DRIVER
A
15V
-20V
GS
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
-10V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
P-Channel
Q2,Q4
.
25
50
75
100
125
150
0
60
120
180
240
300
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
TOP
BOTTOM
-0.30A
-0.43A
-0.68A
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PDF描述 |
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