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参数资料
| 型号： | IRFG5210 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 200V V(BR)DSS | 680MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|阵|互补| 200伏五（巴西）直| 680MA（丁）|双酯 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | IRFG5210 |
www.irf.com
7
IRFG5210
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
10V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
V
GS
N-Channel
Q1,Q3
.
25
50
75
100
125
150
0
30
60
90
120
150
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
0.30A
0.43A
0.68A
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PDF描述 |
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