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参数资料
| 型号： | IRFG5210 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 200V V(BR)DSS | 680MA I(D) | DIP |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的|阵|互补| 200伏五（巴西）直| 680MA（丁）|双酯 |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 193K |
| 代理商： | IRFG5210 |
6
www.irf.com
IRFG5210
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
N-Channel
Q1,Q3
V
GS
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
10
100
1000
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
I
D
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