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参数资料
| 型号： | IRFH5255TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15A 8VQFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.35V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 988pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VQFN |
| 供应商设备封装： | PQFN（5x6）单芯片焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFH5255PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
25
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250 μ A
ΔΒ V DSS / Δ T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.02
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
Δ V GS(th)
I DSS
I GSS
gfs
Q g
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
48
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.0
8.8
1.80
-6.3
–––
–––
–––
–––
–––
14.5
7.0
1.6
1.2
2.7
1.5
3.8
6.0
6.0
10.9
2.35
–––
5
150
100
-100
–––
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
m Ω
V
mV/°C
μ A
nA
S
nC
nC
nC
V GS = 10V, I D = 15A
V GS = 4.5V, I D = 15A
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V DS = 20V, V GS = 0V
V DS = 20V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 20V
V GS = -20V
V DS = 13V, I D = 15A
V GS = 10V, V DS = 13V, I D = 15A
V DS = 13V
V GS = 4.5V
I D = 15A
See Fig.17 & 18
V DS = 16V, V GS = 0V
R G
t d(on)
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–––
–––
0.6
7.9
–––
–––
Ω
V DD = 13V, V GS = 4.5V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10.7
6.5
3.8
988
289
127
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = 15A
R G =1.0 Ω
See Fig.15
V GS = 0V
V DS = 13V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
53
15
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
51
60
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
11
7.8
1.0
17
12
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 15A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 15A, V DD = 13V
di/dt = 300A/ μ s
t on
Forward Turn-On Time
Time is dominated by parasitic Inductance
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC (Bottom)
R θ JC (Top)
R θ JA
R θ JA (<10s)
Junction-to-Case
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
–––
–––
–––
–––
4.9
15
35
22
°C/W
2
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRFH5301PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRFH5301TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 1.85mOhm mx 37nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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