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参数资料
型号： IRFIZ46N
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
标准包装： 50
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 33A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 20 毫欧 @ 19A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 61nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 1500pF @ 25V
功率 - 最大： 45W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220AB 整包
包装： 管件
其它名称： *IRFIZ46N
IRFIZ46N
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
55
––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.017 ––– V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
––– 0.020
?
V GS = 10V, I D = 19A ?
43 ––– R G = 12 ?
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
2.0
16
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 4.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
––– ––– S V DS = 25V, I D = 28A ?
––– 25 V DS = 55V, V GS = 0V
μA
––– 250 V DS = 44V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– 100 V GS = 20V
nA
––– -100 V GS = -20V
––– 61 I D = 28A
––– 13 nC V DS = 44V
––– 24 V GS = 10V, See Fig. 6 and 13 ??
12 ––– V DD = 28V
80 ––– I D = 28A
ns
52 ––– R D = 0.98 ?, See Fig. 10 ??
L D
L S
Internal Drain Inductance
Internal Source Inductance
–––
––––––
4.5
7.5
–––
– – – – – –
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
G
D
S
––– 450 ––– V DS = 25V
C iss
C oss
C rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
––– 1500 ––– V GS = 0V
pF
––– 160 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
––– 12 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
(Body Diode)
–––
–––
33
A
MOSFET symbol
showing the
D
I SM
V SD
t rr
Q rr
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
–––
–––
72
210
180
1.3
110
310
V
ns
nC
integral reverse
p-n junction diode.
T J = 25°C, I S = 19A, V GS = 0V ?
T J = 25°C, I F = 28A
di/dt = 100A/μs ??
G
S
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? I SD ≤ 28A, di/dt ≤ 240A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? t=60s, ?=60Hz
? V DD = 25V, starting T J = 25°C, L = 410μH
R G = 25 ? , I AS = 28A. (See Figure 12)
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? Uses IRFZ46N data and test conditions
相关PDF资料
PDF描述
IRFIZ48NPBF MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
IRFIZ48N MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
IRFL024NTR MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
IRFL1006TR MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
IRFL4105PBF MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
相关代理商/技术参数
参数描述
IRFIZ46NPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ48 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IR DOES NOT RECOGNIZE P/N
IRFIZ48G 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFIZ48G_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIZ48GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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