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参数资料
| 型号： | IRFIZ46N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFIZ46N |
IRFIZ46N
L
V DS
D.U.T.
500
TO P
I D
11 A
2 0A
R G
+
400
B OTTO M
28 A
-
V DD
10 V
t p
I AS
0.01 ?
300
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
t p
200
100
V DD
0
V D D = 2 5V
A
25
50
75
100
125
150
175
V DS
I AS
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
10 V
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ48NPBF | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
| IRFIZ48N | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
| IRFL024NTR | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| IRFL1006TR | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| IRFL4105PBF | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ46NPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IR DOES NOT RECOGNIZE P/N |
| IRFIZ48G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ48GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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