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参数资料
| 型号： | IRFIZ46N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 61nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFIZ46N |
IRFIZ46N
2800
2400
V GS
C is s
C rs s
C o ss
= 0 V, f = 1M H z
= C gs + C gd , C ds SH O RTE D
= C gd
= C ds + C g d
20
16
I D = 2 8A
V DS = 4 4V
V DS = 2 8V
2000
1600
1200
800
C is s
C os s
12
8
C rs s
4
400
FO R TES T C IR CU IT
0
A
0
SEE FIG U R E 13
A
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
1000
V D S , Drain-to-Source V oltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPE R ATIO N IN TH IS A RE A LIMITE D
BY R D S(o n)
100
10
T J = 17 5°C
T J = 25 °C
100
10
1 0μs
1 00μs
1m s
1
V G S = 0 V
A
1
T C = 25 °C
T J = 17 5°C
S ing le Pulse
10m s
A
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
10
100
V S D , S ource-to-Drain Voltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ48NPBF | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
| IRFIZ48N | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
| IRFL024NTR | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| IRFL1006TR | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| IRFL4105PBF | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ46NPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IR DOES NOT RECOGNIZE P/N |
| IRFIZ48G | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFIZ48G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFIZ48GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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