参数资料
型号: IRFIZ48NPBF
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
产品目录绘图: IR Hexfet TO-220FULLPAK
标准包装: 3,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 89nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V
功率 - 最大: 54W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220AB 整包
包装: 管件
其它名称: *IRFIZ48NPBF
IRFIZ48NPbF
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
10
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
1
1
T C = 25°C
0.1
0.1
1
4.5V
20μs PULSE WIDTH
10 100
A
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T C = 175°C
10 100
A
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
2.5
I D = 53A
2.0
100
T J = 175°C
1.5
10
T J = 25°C
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
8 9 10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
A
80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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