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参数资料
| 型号： | IRFIZ48NPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220FULLPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 54W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB 整包 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRFIZ48NPBF |
IRFIZ48NPbF
4000
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 32A
V DS = 44V
V DS = 28V
3000
2000
C iss
C oss
12
8
1000
C rss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
20
40
SEE FIGURE 13
60 80
100
A
1000
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
10
T J = 25°C
100us
1
10
1ms
10ms
V GS = 0V
0.1
0.2
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
A
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFIZ48N | MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP |
| IRFL024NTR | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| IRFL1006TR | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223 |
| IRFL4105PBF | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
| IRFL4105 | MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFIZ48NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 55V, 36A TO-220FP |
| IRFIZ48V | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 39A, 12 mOhm, 73.3 nC Qg, TO-220 FULLPACK |
| IRFIZ48VPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFJ120 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-213AA |
| IRFJ121 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-213AA |
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