参数资料
型号: IRFP150N
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 23A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V
功率 - 最大: 160W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP150N
IRFP150N
1000
TOP
VGS
15V
1000
TOP
VGS
15V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
4.5V
20us PULSE WIDTH
10
4.5V
20us PULSE WIDTH
1
T J = 25 o C
1
T J = 175 o C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
3.0
2.5
I D = 36A
T J = 25 C
100
o
2.0
T J = 175 C
10
o
1.5
1.0
0.5
1
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
0
V GS = 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
o
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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参数描述
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IRFP150NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET