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参数资料
| 型号： | IRFP150N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 23A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247AC |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *IRFP150N |
IRFP150N
3500
3000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V, f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 22A
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
2500
Ciss
2000
1500
1000
Coss
12
8
500
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80 100
120
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
100
10
10us
100us
1ms
T C = 25 C
0.1
V GS = 0 V
1
o
T J = 175 o C
Single Pulse
10ms
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP250 | MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD |
| IRFP260 | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 |
| IRFP264 | MOSFET N-CH 250V 38A TO247 |
| IRFP3703 | MOSFET N-CH 30V 210A TO-247AC |
| IRFP450 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFP150N_R4942 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP150NHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
| IRFP150NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP150PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFP150PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
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