参数资料
型号: IRFP150N
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
标准包装: 25
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 42A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫欧 @ 23A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 25V
功率 - 最大: 160W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247AC
包装: 散装
其它名称: *IRFP150N
IRFP150N
50
40
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
30
10V
Pulse Width £1 μs
20
Duty Factor £ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
10
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
10%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
1
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
P DM
t 1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
t 2
1. Duty factor D = t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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参数描述
IRFP150N_R4942 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP150NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET