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参数资料
| 型号： | IRFR024NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U024N
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
10
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.5V
20μ s P U LS E W ID TH
20μ s P U LS E W ID TH
1
T C = 25°C
A
1
T C = 175°C
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 2 5 °C
3.0
2.5
I D = 17A
10
T J = 1 7 5 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS = 2 5V
1
4
5
6
7
2 0 μ s P U L S E W ID T H
8 9
10
A
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10V
A
100 120 140 160 180
V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR1010ZTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR024NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 17A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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