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参数资料
| 型号： | IRFR024NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U024N
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
6.73 (.265 )
6.35 (.250 )
2.38 (.09 4)
2.19 (.08 6)
5.46 (.215 )
5.21 (.205 )
-A-
1 .2 7 (.0 50)
0 .8 8 (.0 35)
0.58 (.023 )
0.46 (.018 )
LE A D A S S IG N M E N T S
4
6.45 (.245 )
5.68 (.224 )
1 - GATE
2 - D R A IN
3 - SOU RC E
1.52 (.06 0)
1.15 (.04 5)
6.22 (.24 5)
5.97 (.23 5)
4 - D R A IN
-B-
1
2
3
N OTES:
1 D IM E N S IO N IN G & T O LE R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4.5M , 1982 .
2.28 (.09 0)
1.91 (.07 5)
9 .6 5 (.38 0)
8 .8 9 (.35 0)
2 C O N T R O LL IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S T O J E D E C O U T LIN E T O -2 52 A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A R E B E F O R E S O LD E R D IP ,
S O LD E R D IP M A X. + 0.16 (.0 06).
3X
1 .1 4 (.045)
0 .7 6 (.030)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
1.14 (.045 )
0.89 (.035 )
2.28 (.090 )
2X
0.25 (.0 10)
M A M B
0 .58 (.0 23)
0 .46 (.0 18)
Part Marking Information
TO-251AA (I-PARK)
E X A M P L E : T H IS IS A N IR F U 1 2 0
W IT H A S S E M B L Y
LO T CODE 9U1P
IN T E R N A T IO N A L
R E C T IF IE R
LO GO
IR F U
120
F IR S T P O R T IO N
OF PART NUMBER
www.irf.com
ASSEMBLY
LOT CODE
9U
1P
S E C O N D P O R T IO N
OF PART NUMBER
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRFR024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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