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参数资料
| 型号： | IRFR024NTRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U024N
700
600
V GS
C is s
C rs s
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 10 A
V D S = 44V
V D S = 28V
500
C iss
400
C oss
12
300
200
C rs s
8
4
100
FO R TE S T C IR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
S E E FIG U R E 13
12 16
20
A
100
10
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
T J = 25°C
1000
100
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
O P E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE D
B Y R D S (on)
10μ s
10
100μ s
T J
1
V G S = 0V
A
1
T C = 25°C
= 175°C
S ingle P ulse
1m s
10m s
A
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
10
100
4
V S D , S ource-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR1010ZTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| IRFR1205TRR | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK |
| IRFR120TRRPBF | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK |
| IRFR12N25DTRPBF | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| IRFR13N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 14A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR024NTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 17A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRFR024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR024TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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