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参数资料
| 型号： | IRFR1111 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.031ohm，身份证\u003d第33A） |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRFR1111 |
IRFR/U3303
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
10V
30A
0.1
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
TOP
BOTTOM
VGS
15V
5.5V
5.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
J
TOP
BOTTOM
VGS
15V
6.0V
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
15V
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