参数资料
型号: IRFR1111
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 30V的,的Rds(on)\u003d 0.031ohm,身份证\u003d第33A)
文件页数: 9/10页
文件大小: 112K
代理商: IRFR1111
IRFR/U3303
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-251AA (I-Pak)
Part Marking Information
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
FIRST PORTION
OF PART NUMBER
SECOND PORTION
OF PART NUMBER
120
9U 1P
EXAMPLE : THIS IS AN IRFU120
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9U1P
IRFU
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
2 - DRAIN
3 - SOURCE
4 - DRAIN
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOW N ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
9.65 (.380)
8.89 (.350)
3X
2.28 (.090)
1.91 (.075)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
4
1 2 3
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
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IRFR120 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR-120 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFR120_R4941 功能描述:MOSFET TO-252AA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR1205 功能描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件