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参数资料
| 型号： | IRFR1111 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d 0.031ohm，身份证\u003d第33A） |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | IRFR1111 |
IRFR/U3303
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
1000
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
18A
V
= 15V
DS
V
= 24V
DS
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
Ciss
Coss
Crss
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