- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录446 > IRFR3418TRPBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 80V 70A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRFR3418TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 94nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRFR/U3418PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
80
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.08
–––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
I DSS
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
–––
3.5
–––
11.5
–––
–––
14
5.5
1.0
m ?
V
μA
V GS = 10V, I D = 18A
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 80V, V GS = 0V
–––
–––
250
V DS = 64V, V GS = 0V, T J = 150°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
–––
–––
–––
100
-100
nA
V GS = 20V
V GS = -20V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
gfs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
66
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
63
23
23
24
72
41
27
3510
330
190
1220
240
360
–––
94
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
ns
pF
V DS = 25V, I D = 18A
I D = 18A
V DS = 40V
V GS = 10V
V DD = 40V
I D = 18A
R G = 6.8 ?
V GS = 10V
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 64V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V to 64V
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
260
18
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
70
A
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
280
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
57
130
1.3
–––
–––
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 18A, V GS = 0V
T J = 150°C, I F = 18A, V DD = 25V
di/dt = 100A/μs
t on
2
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3504TRPBF | MOSFET N-CH 40V 30A DPAK |
| IRFR3706CTRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| IRFR3706TRLPBF | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK |
| IRFR3707TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK |
| IRFR3707ZCTRLP | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRFR3418TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:80V 70.000A D-PAK - Tape and Reel |
| IRFR3504 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR3504HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 87A 3PIN DPAK - Bulk |
| IRFR3504PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 9.2mOhms 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRFR3504TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 87A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。