参数资料
型号: IRFR3418TRPBF
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
标准包装: 2,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3510pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR/U3418PbF
15V
600
TOP
I D
7.3A
VDS
L
DRIVER
500
BOTTOM
13A
18A
400
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
300
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
200
100
0
25
50
75
100
125
150
175
, (°C)
Starting T T J , Junction Temperature( ° C)
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V GS
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
V
V GS
V G
3mA
I G
I D
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
6
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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PDF描述
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