参数资料
型号: IRFR3418TRPBF
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
标准包装: 2,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 70A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫欧 @ 18A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3510pF @ 25V
功率 - 最大: 3.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
IRFR/U3418PbF
100000
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
12.0
10.0
8.0
ID= 18A
VDS= 64V
VDS= 40V
VDS= 16V
1000
Coss
Crss
6.0
4.0
100
2.0
10
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.00
10000
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
100.00
1000
LIMITED BY R DS(on)
T J = 175°C
100
10.00
100μsec
10
1.00
T J = 25°C
1
TC = 25°C
1msec
0.10
VGS = 0V
0.1
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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PDF描述
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